IMI推出用于氮化硅LPCVD應(yīng)用的突破性技術(shù)
更新時(shí)間：2018-08-01 關(guān)注：3988
硅科技公司Integrated Materials?, Inc. (IMI)昨日宣布取得一項(xiàng)重大研究突破，該技術(shù)將大幅提高該公司用于氮化硅(SiN) LPCVD應(yīng)用的SiFusion?牌超純多晶硅爐的性能，并延長(zhǎng)其使用壽命。這種已申報(bào)的獨(dú)特方法有望通過(guò)大幅延長(zhǎng)維護(hù)活動(dòng)之間的時(shí)間并減少顆粒缺陷，以的幅度提高SiN爐生產(chǎn)效率。該技術(shù)的工作原理是修改多晶硅表面的分子屬性，形成一種適宜于薄膜附著力與應(yīng)力管理的表面狀態(tài)。
IMI的技術(shù)總監(jiān)Sang In Lee博士說(shuō)：“‘表面修改與分子加入處理’(SUMMIT)工藝是一種新工藝，可以增強(qiáng)硅表面和SiN薄膜等高應(yīng)力薄膜之間的附著力。與IMI的專(zhuān)有表面處理技術(shù)相結(jié)合，SUMMIT工藝可以提供更好的粒子性能和比石英及SiC爐更長(zhǎng)的清洗間隔期(MTBC)，從而提高IMI的硅熱場(chǎng)的生產(chǎn)效率與性能?！?/p>
該技術(shù)的生產(chǎn)價(jià)值評(píng)估正在多個(gè)客戶(hù)所在地進(jìn)行，與IMI的戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)伙Tokyo Electron的聯(lián)合評(píng)估也在同步進(jìn)行中。IMI相信，這一突破技術(shù)可將其SiN應(yīng)用方面的性能優(yōu)勢(shì)提高到其競(jìng)爭(zhēng)者望塵莫及的水平，進(jìn)一步展示了其SiFusion?超純多晶硅產(chǎn)品線(xiàn)的技術(shù)特色。
IMI執(zhí)行官Daniel Rubin說(shuō)：“我們相信，我們的新解決方案將有利于在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點(diǎn)下，更加有效地利用分批處理爐氮化硅工藝，并實(shí)現(xiàn)將現(xiàn)有分批處理爐工藝延伸到未來(lái)節(jié)點(diǎn)。這一成果無(wú)疑會(huì)提高生產(chǎn)效率，但是更重要的是，將減少粒子數(shù)，并提高產(chǎn)量。這一SUMMIT工藝成果是SiFusion?超純多晶硅爐在2004年推出后，取得的大的多晶硅爐成果。”
對(duì)于構(gòu)成LPCVD半導(dǎo)體爐管區(qū)中的處理室的可消耗部件，使用得廣泛的術(shù)語(yǔ)是爐具(furnaceware)。IMI通過(guò)在其整個(gè)200毫米和300毫米SiN產(chǎn)品線(xiàn)(包括塔、底座、襯墊、噴嘴、擋板和檔片)中采用SUMMIT工藝，為尋求大幅提高SiN性能并降低成本的客戶(hù)帶來(lái)了一個(gè)完整的解決方案。
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